三菱电机开发出220W输出、支持2.6GHz的GaN制HEMT

2016-09-060阅读0

  三菱电机开发出了饱和输出功率高达220W(53.4dBm)的GaN(氮化镓)制HEMT(高电子迁移率晶体管)“MGFS53G27ET1”,将从2016年11月1日开始样品供货。该产品支持的频率范围为2.5GHz~2.7GHz,最大漏极效率高达74%。据称是通过采用GaN材料和优化晶体管结构实现的。主要面向第4代(4G)移动通信系统用宏蜂窝基站。宏蜂窝基站是指,以半径达数km~25km的大通信区域为对象的基站。据该公司介绍,“在面向宏蜂窝基站的产品中,74%的漏极效率为行业顶级水平”。由于漏极效率高,可以在简化通信设备冷却功能的同时,实现基站的小型化和低功耗化。

  

220W输出、支持2.6GHz频率的GaN制HEMT

  线性增益为18dB。推荐工作电压为50V。采用无凸缘封装。由于没有用螺丝等固定的安装部分(凸缘),可以削减安装面积。样品价格为1.5万日元(不含税)。

  该公司已经推出市了支持3.4GHz~3.8GHz的第4代移动通信系统用GaN制HEMT参阅本站报道1本站报道2)。此次的新产品也将追到到该产品线中。今后该公司除了封装、输出电力和频带各异的第4代移动通信系统用产品外,还将向市场投放第5代(5G)移动通信系统用产品。(特约撰稿人:山下胜己)

  (全文完)