罗姆:凭SiC拿下电动方程式大赛,逆变器减小30%

2016-11-110阅读0

  罗姆11月8日在慕尼黑电子展“electronica 2016”上举行新闻发布会,介绍了展出商品。其中重点介绍的是SiC功率器件以及凭借这种器件挑战“Formula E”的事例。

  

挑战Formula E

  在SiC功率器件方面,罗姆展示了该公司的第3代产品。SiC MOSFET的第三代产品是采用“双沟道结构”的沟道型。相同芯片尺寸下,导通电阻较原来的平面型SiC MOSFET可降低50%,电容成分可减少35%。耐压650V的产品有导通电阻为17mΩ~120mΩ不等的多个型号,耐压为1200V的产品有导通电阻为22mΩ~160mΩ的多个型号。

  罗姆还介绍了SiC肖特基势垒二极管(SBD)的第3代产品。耐压为650V,备有2A~10A的多个型号。

  罗姆还介绍了“斩波型”SiC模块。这是配备SiC肖特基势垒二极管(SBD)和SiC MOSFET的全SiC模块,耐压1200V,额定电流为120A/180A/300A。

  参与Formula E

  作为上述SiC功率器件的应用对象,罗姆介绍了该公司在电动方程式世界锦标赛Formula E(国际汽车联盟举办)的表现。罗姆与法国文图瑞(VENTURI)公司的车队“Venturi Formula E Team”结成了为期3年的技术合作伙伴关系。

  

展示的文图瑞车队的赛车。内部没有逆变器等。

  罗姆从2016年10月9日拉开帷幕的第三赛季开始,为车队的逆变器提供SiC功率器件。基于这样的关系,此次发布会上,文图瑞车队的协调人Frank BALDET及赛车手Maro Engel登台发言,表达了对SiC的期待。

  第三赛季,在逆变器上配备了SiC SBD。与第二赛季使用的逆变器相比,效率改善了1.7%,重量减轻了2kg。另外,通过散热系统的小型轻量化,使逆变器的体积减小了30%。在下一赛季,也就是第四赛季,将把逆变器内的Si IGBT换成SiC MOSFET,预计效率将进一步改善。

  

后面是第二赛季的逆变器,前面是第三赛季的逆变器

  

第四赛季将采用SiC MOSFET

  通过小型化,配置更加自由,容易调整赛车的重心平衡。轻量化也有优势。虽然允许的车辆总重基本固定,但每到一个新赛季,电池容量和电机的输出功率都会增大。因此,通过采用SiC功率器件提高效率而实现的轻量化将发挥其威力。(记者:根津 祯)

  

左边是BALDET,右边是Maro Engel

  (全文完)