高通骁龙835采用三星的10nm工艺量产

2016-11-210阅读0

  高通日前宣布,移动处理器IC最新产品“骁龙835处理器”采用韩国三星电子的10nm FinFET工艺生产。这也是首款利用10nm FinFET工艺生产的移动处理器IC。

  骁龙835目前正在量产,预定配备于2017年上半年上市的移动终端。该产品是骁龙820、821处理的后续产品。据介绍,骁龙820、821已被200多款移动终端采用。

  

左为高通技术公司的Keith Kressin(高级副总裁兼产品经理),右为三星的Ben Suh(代工营销高级副总裁)。两人手中拿着的就是“骁龙835处理器”。照片是高通在纽约“高通骁龙技术峰会”上拍摄。

  据三星介绍,用于制造骁龙835的工艺为“10LPE”(参阅本站报道),该工艺与14nm FinFET工艺相比,可制造出面积小30%、性能高27%、功耗低40%的芯片(英文发布资料)。为了确保曝光分辨率,设有3次曝光(Triple Patterning)层。继10LPE之后,三星预定在2017年下半年启动高速版“10LPP”的量产。(记者:小岛 郁太郎)

  (全文完)